瑞薩電子將投資900億日元提高功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

日本MCU制造商瑞薩電子17日發(fā)布公告稱，將投資900億日元用于甲府工廠，以生產(chǎn)300毫米晶圓功率半導(dǎo)體，預(yù)計2024年投入生產(chǎn)。

瑞薩電子指出，為實現(xiàn)無碳社會，預(yù)計全球?qū)μ峁┖涂刂齐娏Φ母咝Чβ拾雽?dǎo)體的需求將增加。特別是電動汽車 (EV) 的需求將迅速擴大，瑞薩將通過提高 IGBT等功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)能力，為實現(xiàn)無碳社會做出貢獻(xiàn)。隨著甲府工廠開始全面量產(chǎn)，瑞薩功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能將翻倍。

據(jù)了解，甲府工廠旗下?lián)碛?50mm和200mm晶圓生產(chǎn)線。此次瑞薩電子決定有效利用甲府工廠的現(xiàn)有建筑，啟動300 mm晶圓生產(chǎn)線以提高功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。

聲明：本文版權(quán)歸原作者所有，轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播，若有異議請聯(lián)系我們修改或刪除：zhangkai@cgbtek.com