日本經(jīng)產(chǎn)相在美國(guó)視察日美合作的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)施
日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)相萩生田光一3日訪問(wèn)美國(guó)紐約州奧爾巴尼,視察日美企業(yè)參與的新一代半導(dǎo)體研究開發(fā)設(shè)施。與美國(guó)IBM和日本半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)交換意見,并表示力爭(zhēng)推進(jìn)日美合作以及加強(qiáng)產(chǎn)官學(xué)合作。
萩生田指出從經(jīng)濟(jì)安全保障的觀點(diǎn)出發(fā),新一代技術(shù)的開發(fā)也很重要,表示“作為盟國(guó)的日美將比此前更加團(tuán)結(jié)一體推進(jìn)舉措”。
該設(shè)施由紐約州和IBM為主運(yùn)營(yíng),紐約州立大學(xué)、東京電子、SCREEN控股等也參與其中。IBM以該設(shè)施為基地成功開發(fā)出制程為2納米(1納米為10億分之1米)的新一代半導(dǎo)體,有望提升電子設(shè)備的速度和性能。
聲明:本文版權(quán)歸原作者所有,轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播,若有異議請(qǐng)聯(lián)系我們修改或刪除:zhangkai@cgbtek.com