外媒：三星將在5月初為NAND閃存生產(chǎn)安裝晶圓廠設(shè)備

據(jù)外媒TheElec 4月19日?qǐng)?bào)道，三星計(jì)劃于5月初在其平澤工廠的新晶圓廠P3上安裝晶圓廠設(shè)備。

TheElec引述消息人士稱，三星將首先在5月第一周為NAND閃存生產(chǎn)安裝晶圓廠設(shè)備。另外，P3廠區(qū)將先建造NAND閃存生產(chǎn)線，然后是DRAM和晶圓代工。

據(jù)了解，三星P3廠區(qū)是三星平澤廠區(qū)的第三座芯片工廠，是一個(gè)綜合生產(chǎn)基地，同時(shí)運(yùn)營存儲(chǔ)器和晶圓代工生產(chǎn)線。P3廠區(qū)面積為70萬平方米，是P2廠區(qū)面積的1.7倍。

報(bào)道稱，當(dāng)P3下個(gè)月開始量產(chǎn)時(shí)，將占用平澤工廠6塊工廠用地中的3塊。三星預(yù)計(jì)將在P3之后在平澤建造P4，同時(shí)計(jì)劃在美國建造另一座20萬億韓元的代工工廠。

從2017年開始，三星在韓國平澤一期工廠一樓進(jìn)行64層NAND的生產(chǎn)。2018年，三星在其二樓增設(shè)了DRAM產(chǎn)線。

同年，三星在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠（P2），用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能。新工廠P2總投資額約30萬億韓元，就在距離平澤工廠不遠(yuǎn)處。

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