會員｜世紀(jì)金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件
世紀(jì)金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件
2022年9月26日，世紀(jì)金光推出新款SiC 功率器件——第二代1200V 80mΩ SiC MOSFET的器件CGE2M120080，該系列具有更低導(dǎo)通電阻，高開關(guān)速度，低開關(guān)損耗等特性，主要用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電動汽車OBC、充電樁、光伏逆變等領(lǐng)域。
新產(chǎn)品單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)相對于上一代產(chǎn)品下降了大約53%，柵總電荷量下降52%，使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(on)×Qgd）”降低了大約78%，有效提升開關(guān)速度，從而使開關(guān)損耗減小超過20%，整體性能表現(xiàn)居先進(jìn)水平。
此產(chǎn)品為世紀(jì)金光第二代MOSFET平臺下首款產(chǎn)品，我們后續(xù)將繼續(xù)擴展SiC MOSFET功率器件產(chǎn)品線，開發(fā)更多電壓電流規(guī)格的產(chǎn)品，提升器件性能、降低開關(guān)損耗，提升設(shè)備效率，持續(xù)地為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。
產(chǎn)品特點 與第一代產(chǎn)品相比，通過溝道及JFET優(yōu)化技術(shù)，單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)降低了大約53%，主要應(yīng)用電流比導(dǎo)通電阻均達(dá)到3.5mΩ·cm2以下；RDS(on)*Qgd下降78%，約為1500 mΩ·nC；柵總電荷量下降52%，低至54.5nC，為實現(xiàn)更高速應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。
第一代和第二代SiC MOSFET開關(guān)曲線如上圖。第二代產(chǎn)品開關(guān)時間減小，從而使開關(guān)損耗減小超過20%。
第二代SiC MOSFET器件，改進(jìn)設(shè)計工藝，優(yōu)化器件封裝，在溫度穩(wěn)定性方面，尤其是高溫狀態(tài)下，器件參數(shù)變化更小。有效降低應(yīng)用中熱設(shè)計難度，減輕散熱壓力。
采用二極管增強結(jié)構(gòu)設(shè)計，有效降低體二極管導(dǎo)通壓降，較前一代導(dǎo)通壓降下降超過1V。感性負(fù)載下提供更強的電流續(xù)流能力，有效降低能量損耗，提高系統(tǒng)能量利用率。
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體（以下簡稱“世紀(jì)金光”）是一家專注于碳化硅功能材料和功率器件研發(fā)與生產(chǎn)的國家級高新技術(shù)公司，深耕第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)15年。
公司以“自主創(chuàng)新”為己任，專注于戰(zhàn)略新興半導(dǎo)體的研發(fā)與生產(chǎn)，經(jīng)過多年的發(fā)展，已創(chuàng)新性的解決了高純碳化硅粉料提純技術(shù)、6英寸碳化硅單晶制備技術(shù)、高壓低導(dǎo)通電阻碳化硅SBD、MOSFET結(jié)構(gòu)及工藝設(shè)計技術(shù)等。目前已完成從碳化硅功能材料生長、功率元器件和模塊制備、行業(yè)應(yīng)用開發(fā)和解決方案提供等關(guān)鍵領(lǐng)域的全面布局。
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