工信部電子五所牽頭起草的《用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》團體標準已形成委員會草

2022年7月18日，由工信部電子五所牽頭起草的《用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》團體標準形成委員會草案，該項標準委員會草案按照CASAS標準制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成。起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會，得到了很多CASAS正式成員的支持。
請正式成員關(guān)注秘書處郵件。
 
T/CASAS 005—202X《用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》基于GaN功率器件動態(tài)導通電阻測試的迫切需求，自2021年9月起，預(yù)提案單位工業(yè)和信息化部電子第五研究所、佛山市聯(lián)動科技股份有限公司、東南大學、中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、珠海鎵未來科技有限公司等單位討論確定啟動標準制定的準備工作，一致認同基于硬開關(guān)電路的GaN HEMT電力電子器件動態(tài)電阻測試標準制定的必要性及迫切性；標準編制組于2021年9月~10月分別組織多次線上討論會，修改完善標準提案所需材料：標準建議表、標準草案。
2021年11月9日，來自工業(yè)和信息化部電子第五研究所、佛山市聯(lián)動科技股份有限公司、東南大學、中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、香港應(yīng)科院、是德科技有限公司、泰科天潤等單位的專家老師在線上（騰訊會議）召開了標準預(yù)提案討論會，工業(yè)和信息化部電子第五研究所代表賀致遠博士介紹了制定背景、GaN動態(tài)導通電阻測試現(xiàn)狀、標準編制思路、草案內(nèi)容以及測試實例。會議中對準備的文件進行了仔細深入的討論。之后預(yù)提案單位形成提交給CSAS秘書處的項目提案材料。
2021年11月9日，根據(jù)CASAS管理辦法等管理文件，CASAS秘書處開展該項標準立項的程序性工作；于2月11日，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過，T/CASAS 005-202X《用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》團體標準立項。
2022年3月1日，組建起草組。起草組成員包括：工業(yè)和信息化部電子第五研究所、佛山市聯(lián)動科技股份有限公司、東南大學、中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、英諾賽科（珠海）科技有限公司、佛山市國星光電股份有限公司等。起草組根據(jù)前期的意見征求情況，全面修改并完善了標準草案，并于4月初形成了征求意見稿。
2022年4月1日，秘書處面向全體成員單位發(fā)送征求意見的通知；2022年6月9日，針對征求意見階段收集的意見，秘書處組織召開了委員會草案初稿的討論，并定向邀請相關(guān)專家擴大了范圍討論；2022年6月22日，針對動態(tài)電阻測試如何判定為穩(wěn)定，重點邀請了珠海鎵未來創(chuàng)始人吳毅鋒教授、浙江大學吳新科教授等就持續(xù)脈沖、持續(xù)雙脈沖、周期雙脈沖等做了重點交流，認為幾個連續(xù)雙脈沖后，保證DUT柵極關(guān)斷并漏源高壓反偏的工作條件，會持續(xù)電子被陷阱捕捉的狀態(tài)，然后再次連續(xù)雙脈沖，會有效避免器件自熱對測試結(jié)果的影響。
2022年7月18日形成委員會草案。
 
T/CASAS 005—202X《用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》規(guī)定了用于硬開關(guān)切換電路的GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）動態(tài)導通電阻測試方法。適用于進行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應(yīng)用評估等工作場景?？蓱?yīng)用于以下器件：
a)  GaN增強型和耗盡型分立電力電子器件；
b)  GaN集成功率電路；
c)  以上的晶圓級及封裝級產(chǎn)品。

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