當(dāng)?shù)貢r間9月9日，Intel CEO基辛格宣布在美國俄亥俄州投資200億美元新建大型晶圓廠，這是Intel IDM 2.0戰(zhàn)略的一部分，整個投資計劃高達(dá)1000億美元，新工廠預(yù)計2025年量產(chǎn)，屆時“1.8nm”工藝將讓Intel重新回到半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者地位。

　　基辛格去年2月份擔(dān)任Intel CEO以來，開始大力推動在美國及全球建廠，其中美國本土的投資至少超過400億美元，去年已經(jīng)在亞利桑那州投資200億美元建晶圓廠，這次是在俄亥俄州同樣投資200億美元，還在新墨西哥州建設(shè)新的封測工廠。

　　Intel這座工廠也是美國通過528億美元的芯片補(bǔ)貼法案之后本土新建的大型半導(dǎo)體芯片廠，為此美國總統(tǒng)也出席了開工儀式，還有俄亥俄州州長等地方部門高官。

　　Intel的芯片制造基地將有2座晶圓廠組成，最多可容納8個廠房及配套的生態(tài)支持系統(tǒng)，占地面積將近1000英畝，也就是4平方公里之大，將創(chuàng)造3000個高薪工作崗位，7000多個建筑工崗位，以及數(shù)萬個供應(yīng)鏈合作崗位。

　　這兩座晶圓廠預(yù)計會在2025年量產(chǎn)，Intel沒有具體提到工廠的工藝水平，但是Intel之前表示要在4年內(nèi)掌握5代CPU工藝，2024年就要量產(chǎn)20A及18A兩代工藝，因此這里的工廠屆時應(yīng)該也會量產(chǎn)18A工藝。

　　20A、18A是全球首個達(dá)到埃米級的芯片工藝，相當(dāng)于友商的2nm、1.8nm工藝，還會首發(fā)Intel兩大黑科技技術(shù)Ribbon FET及PowerVia。

　　根據(jù)Intel所說，Ribbon FET是Intel對Gate All Around晶體管的實現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度，同時實現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電流，但占用的空間更小。

　　PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。

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