SiC器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、轉(zhuǎn)化效率高、體積小和重量輕等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏、5G通訊等領(lǐng)域。但“高硬度、高脆性、低斷裂韌性”的碳化硅，對(duì)生產(chǎn)工藝有著極其苛刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶體制備一直是行業(yè)的“卡脖子”技術(shù)。

此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。

這不但成功解決了8英寸SiC晶體生長(zhǎng)過程中溫場(chǎng)不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問題，同時(shí)還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛應(yīng)用打下基礎(chǔ)。

成本問題一直制約著SiC的發(fā)展。據(jù)Wolfspeed財(cái)報(bào)說明，SiC從6英寸升級(jí)為8英寸，晶圓成本是增加的，但從8英寸晶圓中獲得的優(yōu)良裸片數(shù)量可增加20%～30%，產(chǎn)量更高，最終的芯片成本將更低。

近年來，各大SiC廠商加速8英寸晶圓的開發(fā)量產(chǎn)進(jìn)程。

國(guó)際上，意法半導(dǎo)體瑞典北雪平工廠成功制造出首批8英寸SiC晶圓片；SiC龍頭WolfSpeed啟用并開始試產(chǎn)旗下一座8英寸新廠；法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司發(fā)布首款8英寸SmartSiC晶圓。

國(guó)內(nèi)方面，爍科晶體實(shí)現(xiàn)了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，向8英寸國(guó)產(chǎn)N型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步；中科院物理所于2021年10月在自研的襯底上初步生長(zhǎng)出了8英寸SiC晶體，后又成功生長(zhǎng)出了單一4H晶型的8英寸SiC晶體，晶坯厚度接近19.6mm，加工出了厚度約2mm的8英寸SiC晶片。

當(dāng)前，6英寸SiC仍是產(chǎn)業(yè)內(nèi)的主流，但目前各大廠商加快8英寸量產(chǎn)步伐，8英寸碳化硅時(shí)代的鐘聲或許即將敲響。