中電科二所激光剝離設(shè)備實現(xiàn)大尺寸工藝迭代

“十四五”時期是我國開啟全面建設(shè)社會主義現(xiàn)代化國家新征程的第一個五年，是國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生革命性轉(zhuǎn)變的關(guān)鍵時期。中國電子科技集團公司第二研究所肩負“大國重器”、“人工智能、半導(dǎo)體核心裝備自主可控”的歷史使命，積極響應(yīng)習(xí)近平總書記號召，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈部署創(chuàng)新鏈，圍繞創(chuàng)新鏈布局產(chǎn)業(yè)鏈，以科技創(chuàng)新引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以大國重器鑄造國芯基石。

激光剝離設(shè)備有機結(jié)合激光精密加工和晶體可控剝離，實現(xiàn)半導(dǎo)體晶體高可靠切片工藝，可將晶體切割損耗降低60%以上，加工時間減少50%以上，并實現(xiàn)晶體加工整線的高度自動化。激光剝離可用于碳化硅、氮化鎵、金剛石等硬脆半導(dǎo)體材料加工，實現(xiàn)襯底成本的大幅降低，亦可擴展至電力電子與微波射頻芯片制造、異質(zhì)材料復(fù)合襯底制造、集成電路先進封裝等領(lǐng)域，實現(xiàn)晶圓減薄、解鍵合等先進工藝，支撐國防軍工、下一代移動通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展及國家安全、新基建、雙碳經(jīng)濟等國家重大戰(zhàn)略的實施，被譽為半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域的“光刻機”。

激光剝離項目是中國電子科技集團公司第二研究所針對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展痛點與難點遴選的首批“揭榜掛帥”項目之一，國內(nèi)多家科研團隊踴躍組團揭榜，項目揭榜立項后，團隊緊鑼密鼓開展技術(shù)攻關(guān)，從工藝摸索到設(shè)備研制，成員夜以繼日奮戰(zhàn)在科研一線，放開手腳發(fā)揮創(chuàng)新潛能。功夫不負有心人，目前，團隊已掌握激光剝離技術(shù)原理與工藝基礎(chǔ)，基于工藝與裝備的協(xié)同研發(fā)，實現(xiàn)了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離，取得突破性進展。下一階段，激光剝離項目將以“大尺寸化、快速生產(chǎn)化、高良率化、全自動化、低能耗化”為目標，迅速開展由碳化硅晶錠至合格襯底片的自動化設(shè)備貫線，真正解決國家第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)問題，為國家發(fā)展貢獻力量。

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