近日,芯片零部件供應(yīng)商IQE已在美國加利福尼亞州的聯(lián)邦法院提起訴訟,指控以色列芯片制造商Tower Semiconductor(高塔半導(dǎo)體)盜用其多孔硅技術(shù)相關(guān)的商業(yè)機密。
IQE指出,有重要證據(jù)表明高塔半導(dǎo)體盜用公司商業(yè)機密以非法獲得多孔硅相關(guān)技術(shù)專利,該技術(shù)將支持5G和先進傳感應(yīng)用中使用的零部件。
IQE表示:“我們之所以提出這些指控,是因為有充分的理由相信高塔半導(dǎo)體為了自身利益盜用了公司的專有商業(yè)秘密。我們的技術(shù)、工藝和知識產(chǎn)權(quán)對于支持IQE的產(chǎn)品和解決方案以及保持在先進半導(dǎo)體材料中的市場領(lǐng)先地位至關(guān)重要。
高塔半導(dǎo)體是以色列的一家半導(dǎo)體專業(yè)代工廠,總部在以色列的米格達勒埃梅克,2022年初被英特爾收購。
該公司目前在以色列僅維持一座6寸晶圓廠(工藝在1微米至0.35微米之間)及一座8寸晶圓廠(工藝在0.18微米至0.13微米之間)運作,在美國加州及德州各有一座8寸晶圓廠,提供0.18 微米(德州廠)及 0.18 至0.13微米(加州廠)的工藝服務(wù)。
高塔半導(dǎo)體在全球晶圓代工市場排名第七,每年營收大約是13億美元,雖然規(guī)模不大,但在特種工藝上處于領(lǐng)先地位,在模擬芯片代工領(lǐng)域排名第一,其射頻和高性能模擬電路領(lǐng)域技術(shù)可支持眾多消費類、工業(yè)設(shè)施級和汽車電子應(yīng)用的高速、低功耗產(chǎn)品。
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