剛剛！3納米官宣！

時(shí)間: 2022-07-11瀏覽次數(shù)：267

剛剛！3納米官宣！

較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%

剛剛，三星官方發(fā)布：2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子今日宣布, 基于3nm全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡稱 GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。

三星電子首次實(shí)現(xiàn)GAA“多橋-通道場效應(yīng)晶體管”（簡稱: MBCFET Multi-Bridge-Channel FET）應(yīng)用打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時(shí)還通過增加驅(qū)動(dòng)電流增強(qiáng)芯片性能。

三星首先將納米片晶體管應(yīng)用于高性能、低功耗計(jì)算領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片，并計(jì)劃將其擴(kuò)大至移動(dòng)處理器領(lǐng)域。

三星電子Foundry業(yè)務(wù)部總經(jīng)理崔時(shí)榮表示：

一直以來，三星電子不斷將新一代工藝技術(shù)應(yīng)用于生產(chǎn)制造中。例如：三星的第一個(gè)High-K Metal Gate (HKMG) 工藝、FinFET 以及 EUV等。三星希望通過率先采用3nm工藝的‘多橋-通道場效應(yīng)晶體管’（ MBCFET），將繼續(xù)保持半導(dǎo)體行業(yè)前沿地位。同時(shí)，三星將繼續(xù)在競爭性技術(shù)開發(fā)方面積極創(chuàng)新，并建立有助于加速實(shí)現(xiàn)技術(shù)成熟的流程。

聲明：本文版權(quán)歸原作者所有，轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播，若有異議請(qǐng)聯(lián)系我們修改或刪除：zhangkai@cgbtek.com

關(guān)于我們公司簡介企業(yè)文化發(fā)展歷程品質(zhì)保證成功案例

產(chǎn)品中心槽式濕法制程設(shè)備單片類濕法制程設(shè)備輔助設(shè)備工程技術(shù)服務(wù)周邊銷售全自動(dòng)晶圓倒角機(jī)

新聞動(dòng)態(tài)公司動(dòng)態(tài)行業(yè)新聞

人力資源在線招聘

剛剛！3納米官宣！

剛剛！3納米官宣！

剛剛！3納米官宣！

剛剛！3納米官宣！