銘鎵半導(dǎo)體完成近億元A輪融資，用于氧化鎵項目擴產(chǎn)和研發(fā)

北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司宣布完成近億元A輪融資。本輪融資將主要用于氧化鎵項目的擴產(chǎn)和研發(fā)。

銘鎵半導(dǎo)體成立于2020年，是國內(nèi)率先專業(yè)從事超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化的公司，專注于新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵單晶、外延襯底和高頻大功率器件的制造，是國內(nèi)較早將半導(dǎo)體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化落地的企業(yè)之一。

業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，氧化鎵將有望成為新一代半導(dǎo)體材料的代表。和前幾代材料相比，氧化鎵具有更優(yōu)良的化學(xué)和熱穩(wěn)定性、更低的成本價格、更高質(zhì)量合成和更短的產(chǎn)業(yè)化優(yōu)勢，在大功率、抗輻射電子器件領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。

有專業(yè)機構(gòu)預(yù)測，2020-2025年全球氧化鎵材料市場年均增長率在40%以上。到2030年，全球氧化鎵功率器件市場規(guī)模預(yù)計將達到200億元左右。

據(jù)洪泰基金消息，目前，銘鎵半導(dǎo)體布局了氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)全鏈路，擁有國內(nèi)僅有且完備的涵蓋晶體制備—晶體加工—外延制備—性能檢測—器件設(shè)計的標(biāo)準(zhǔn)線。2021年，2英寸氧化鎵襯底材料實現(xiàn)小批量生產(chǎn)，除科研院所研發(fā)之外，還提供給重要的企業(yè)客戶小批量使用。

據(jù)悉，銘鎵半導(dǎo)體的博士研發(fā)團隊來自日本國立佐賀大學(xué)、東京大學(xué)、清華大學(xué)、中國科學(xué)院等國內(nèi)外頂尖高校和科研院所，多位核心產(chǎn)業(yè)成員具備10年以上半導(dǎo)體領(lǐng)域從業(yè)經(jīng)驗，擁有專利技術(shù)40余項。

聲明：本文版權(quán)歸原作者所有，轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播，若有異議請聯(lián)系我們修改或刪除：zhangkai@cgbtek.com