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華燦光電助力第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新 共建微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心

時間: 2022-06-28瀏覽次數(shù):260
  

華燦光電助力第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新 共建微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心



6月25日,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心發(fā)展戰(zhàn)略研討會暨第一屆技術(shù)專家委員會成功召開。圍繞產(chǎn)業(yè)鏈需求,面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向,會上新啟動共建了8家聯(lián)合研發(fā)中心。



6月25日,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(以下簡稱“國創(chuàng)中心”)發(fā)展戰(zhàn)略研討會暨第一屆技術(shù)專家委員會成功召開。中國科學(xué)院院士、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主任郝躍,中國科學(xué)院院士江風(fēng)益,中國工程院院士歐陽曉平,中國科學(xué)院院士楊德仁等數(shù)十名國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖技術(shù)和產(chǎn)業(yè)專家出席會議。華燦光電與國創(chuàng)中心共建的微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心在會議上授牌,首席技術(shù)官王江波博士入選第一屆技術(shù)專家委員。



圍繞產(chǎn)業(yè)鏈需求,面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向,會上新啟動共建了8家聯(lián)合研發(fā)中心,包括微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵同質(zhì)外延技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵功率微波技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示巨集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、硅基氮化鎵材料聯(lián)合研發(fā)中心、寬帶通信濾波器芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、碳化硅車用大功率MOSFET芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、超高分辨率Micro-LED顯示技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心。



同時,國創(chuàng)中心第一屆技術(shù)專家委員會正式成立,由來自第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的六十余位頂尖專家組成。



華燦光電自成立以來堅持自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新,目前公司已成立珠海華發(fā)華燦先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、浙江省第三代半導(dǎo)體重點實驗室、博士后工作站、企業(yè)研究院等研發(fā)機構(gòu)。此次與國創(chuàng)中心共建微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心,將充分發(fā)揮華燦光電在第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域多年的技術(shù)積累與創(chuàng)新優(yōu)勢,依托國創(chuàng)中心國家級戰(zhàn)略科技力量和創(chuàng)新平臺,構(gòu)建研發(fā)資源整合,重點聚焦第三代半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域新技術(shù)的突破,加速公司技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展。



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