尊敬的業(yè)內(nèi)同仁：

      華林嘉業(yè)科技有限公司誠摯地邀請您參加2023年第二屆第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場研討會，我司展位號A31，會議將于2023年3月30-31日（29日簽到）在蘇州合景萬怡酒店組織召開，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，在高頻、高壓、高溫等工作場景中，有易散熱、小體積、低能耗、高功率等明顯優(yōu)勢，應(yīng)用于5G通信、新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

       今年以來，盡管半導(dǎo)體行業(yè)處于逆周期，但800V汽車電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充樁、消費(fèi)電子適配器、數(shù)據(jù)中心及通訊基站電源等細(xì)分市場的快速發(fā)展，推升了第三代半導(dǎo)體材料的市場需求。同時(shí)，中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響給國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體材料帶來了發(fā)展良機(jī)。2021年在國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長乏力的大背景下，我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)逆勢增長。2021年，SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達(dá)到58億元，同比增長29.6%。GaN微波射頻產(chǎn)值達(dá)到69億元，同比增長13.5%。為了促進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的相互交流與合作本次大會旨在提供協(xié)同創(chuàng)新的高質(zhì)量交流平臺，推動(dòng)國內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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